Негативный электронорезист SAN является представителем линии электронорезистов на основе сополимеров стирола. Он отличается стабильностью, простотой обработки, совместимостью со всеми процессами КМОП-технологии. Достигнута разрешающая способность 50 нм в парах линий.
В таблице 1 представлены параметры электронорезиста SAN и реагенты для его обработки.
| Параметры | Значение параметра | Обозначение |
| Концентрация, % | 2 | SAN-2 |
| Концентрация, % | 3 | SAN-3 |
| Концентрация, % | 5 | SAN-5 |
| Разбавитель | SAN-T | |
| Толщина слоя, нм | ||
| Проявитель | SAN-D | |
| Споласкиватель | SAN-R | |
| Сниматель | Смывка неэкспонированного слоя | SAN-S |
| Сниматель | О2 – плазма | |
Промотор адгезии | ГМДС | 20% раствор в толуоле |
Зависимость толщины слоя от скорости нанесения SAN представлена в таблице 2 и на рисунке 1.
Одной из важнейших характеристик электронорезистов является стойкость в процессах травления функциональных слоев. Травление слоев диэлектрика, производится методом реактивно-ионного травления во фторсодержащей плазме – SF6; CF4+O2.
Селективность травления Pt по отношению к SAN составляет 3,75 (PMMA – 1,28. Селективность травления SiO2 – 2,2.
В таблице 3 и на рисунке 2 представлены данные зависимости толщины проявленного слоя от дозы (характеристическая кривая) при 20КэВ. Проявитель SAN-D, время проявления 10 с, режим – спрей.
Чувствительность, Q0,5, электронорезиста – 8 мкКл/см2, гамма контраст – 2,2, рабочая доза 20 мкКл/см2 (20 КэВ).
Процесс формирования рисунка в слое SAN:
Нанесение на центрифуге–30 с (скорость нанесения определяется по кривой нанесения);
Сушка I – 100°C, 2 мин., горячая плита, или термошкаф, 80-90°С, 20 мин.;
Экспонирование – 15-30 мкКл/см2 при 20 кВ;
Проявление в SAN-D в течение 10 с (спрей);
Промывка – пропанол-2 – 12-20 с (спрей);
Сушка II – 100°C, 2 мин., горячая плита, или термошкаф, 80-90°С, 20 мин.;
Зачистка и удаление – O2 плазма.